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四探针电阻率测试仪

型号:FT-335

更新时间:2021-04-29

简要描述:

FT-335四探针电阻率测试仪功能概述$n按照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84)及标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》

详细介绍
品牌自营品牌价格区间1万-3万
自动化度半自动产地类别国产
应用领域能源,电子,交通,纺织皮革,电气

FT-335四探针电阻率测试仪功能概述

参数资料

1.方块电阻范围:10-2~2×105Ω/□

2.电阻率范围:10-3~2×106Ω-cm

3.测试电流范围:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA

4.电流精度:±0.3%读数

5.电阻精度:≤0.5%

6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

7.测试方式: 普通单电测量

8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz  耗:<30W

9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)

10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台

11.测试探头:   探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格; 探针材质选购:碳化钨针;白钢针;镀金磷铜半球形针

FT-335四探针电阻率/方阻测试仪

 

FT-335四探针电阻率/方阻测试仪

按照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84)及标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、

GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,

 

本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,

比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,准确.

本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。

液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。

采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,

自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、

温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

广泛用于:覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、

合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、

涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

 

FT-335四探针电阻率测试仪

硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件

,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆,

导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,抗静电材料,

EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等

 


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