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双电四探针电阻率详情介绍

型号:FT-331

产品时间:2020-03-24

简要描述:

双电四探针电阻率详情介绍,本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料

详细介绍

双电四探针电阻率详情介绍

适用范围

1.覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,

3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,

4.抗静电材料, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等,

双电四探针电阻率详情介绍

功能描述Description:

1. 四探针组合双电测量方法

2. 液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.

3. 集成电路系统、恒流输出.

4. 选配:PC软件进行数据管理和处理.

5. 提供中文或英文两种语言操作界面选择

参照标准:

1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

 

 

双电组合测试方法:

利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,适用于斜置式四探针对于微区的测试。

工作原理和计算公式

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下

直线四探针测试布局如图8,相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理:

当电流通过1、4探针,2、3探针测试电压时计算如下:

 


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