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涂布层四探针电阻率测试仪操作手册

型号:

更新时间:2020-03-25

简要描述:

涂布层四探针电阻率测试仪操作手册,采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.

详细介绍
品牌自营品牌价格区间面议
自动化度半自动产地类别国产
应用领域食品,化工,农业,能源,印刷包装

涂布层四探针电阻率测试仪操作手册

应用说明

覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

二.描述

采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.

涂布层四探针电阻率测试仪操作手册

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

 

功能描述Description:

  • 四探针组合双电测量方法
  • 液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.
  • 集成电路系统、恒流输出.
  • 选配:PC软件进行数据管理和处理.
  • 提供中文或英文两种语言操作界面选择

参照标准:

1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

双电组合测试方法:

利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,适用于斜置式四探针对于微区的测试。

 

 

 


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