当前位置:主页 > 技术文章 > 粉末方阻测试仪的四探针头分析介绍
粉末方阻测试仪的四探针头分析介绍
更新时间:2015-11-11 点击次数:1169
   粉末方阻测试仪主要由主机、测试架及四探针头组成本仪器的特点是主机配置双数字表,在测量电阻率的同时,另一块数字表适时监测全程的电流变化,免除了测量电流/测量电阻率的转换,更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关,在测量某些箔层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,更好地保护箔膜。

  粉末方阻测试仪所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入;具有零位、满度自校功能;自动转换量程;测试探头采用宝石导向轴套和高耐磨碳化钨探针制成,故定位准确、游移率小、寿命长;测试结果由数字表头直接显示。

  粉末方阻测试仪可测量半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等。测量方式:平面测量。电压表采用双数字电压表,可同时观察电流、电压变化。

  粉末方阻测试仪的恒流源:

  A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,有交流电源供给

  B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档

  C.恒流源精度:各档均≤±0.05%

  粉末方阻测试仪的测量系统

  KDY测量系统设计语言:VC++,可对四探针、两探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据,特定数据存储格式,显示变化曲线。

  兼容性:适用于通用电脑,支持Windows XP。

  粉末方阻测试仪的四探针头介绍:

  A.探头间距1.59㎜

  B.探针机械游率:±0.3%

  C.探针直径0.8㎜

  D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。

  测量硅、锗单晶(棒料、晶片)、定向结晶多晶硅的电阻率,测定硅外延层、扩散层和离子注入层以及导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻测量。

  探针间距1.00mm的探针头适合测量直径小于50mm的的直径单晶片。探针间距1.59mm的探针头相对精度高,在SEMI标准中为仲裁探针头,适合测量直径大于50mm的的大直径单晶片,因为探针直径较粗更加耐磨且不易断针,所以尤其适合测量硅、锗单晶棒、块。

  想要了解更多关于粉末方阻测试仪的信息,咨询!

版权所有 © 2019 宁波瑞柯微智能科技有限公司 浙ICP备2022000105号-3 技术支持:化工仪器网 管理登陆 GoogleSitemap

在线客服 联系方式 二维码

服务热线

0574-27976124

扫一扫,关注我们

浙公网安备 33020502001079