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硅片电阻率测量方法,四探针方阻仪原理
时间:2015-03-07 点击次数:2158

本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.


按照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84)及标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,

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